삼성전자, 28나노 FD-SOI 공정 eMRAM 출하

2019.03.06 14:28:09
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- 소형화 비용절감 용이…연내 1Gb eMRAM 테스트칩 생산

[디지털데일리 윤상호기자] 삼성전자가 파운드리 사업부 경쟁력 강화에 힘을 쏟고 있다.

삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 28나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM) 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다.

FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이다. MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준 속도를 내는 메모리 반도체다.

두 기술을 합치면 전력을 적게 소모하면서 속도가 빠르고, 소형화가 쉬우면서 가격이 저렴한 차세대 내장 메모리를 만들 수 있다는 것이 삼성전자의 설명이다. 삼성전자 파운드리 사업부는 시스템 온 칩(SoC)에 이 제품을 결합했다.

내장형 메모리는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 플래시 기반 e플래시(embedded Flash Memory)를 사용한다. 사물인터넷(IoT) 기기 등 소형 전자 제품에 들어간다. 하지만 e플래시는 데이터 기록 때 있던 데이터를 삭제하는 과정을 거친다. 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있다.

28나노 FD-SOI eMRAM 솔루션은 데이터 삭제 과정이 없다. e플래시보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현했다. 전원이 꺼져도 데이터를 유지한다. 대기 전력이 없다. 데이터 기록 때 필요한 동작 전압은 낮다. 전력 효율을 높일 수 있다. 구조가 단순해 설계 부담을 줄일 수 있다. 생산비가 낮아진다.

삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 이상현 상무는 “신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다”며 “이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것”이라고 말했다.

한편 이날 삼성전자는 경기 기흥캠퍼스에서 양산 제품 첫 출하 기념식을 열었다. 삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대할 계획이다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr
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